当地时间3月18日，全球存储芯片大厂美光科技公布了截至2026年2月26日的2026财年第二财季（2025年12月到2026年2月）业绩。

财报显示，当季公司营收达到238.6亿美元，同比增长196.4%，环比上涨74.9%，明显超过分析师预期的200.7亿美元。

GAAP口径下，当季公司净利润为137.85亿美元，同比上涨770.8%，环比上涨163.1%；每股收益12.07美元，同比上涨756%，环比上涨162.4%，远超分析师预期的9.31美元；毛利率（扣除销货成本后的利润）从去年同期的36.8%提升至74.4%，也高于前一季度的56%。

不过，这份超预期的财报并未提振公司股价。3月19日，美光科技盘前一度下跌5%，目前跌约4%。

具体按业务部门划分，第二财季，公司云存储收入77.49亿美元，同比增长160%，环比增长47%，主要受价格上涨和产品组合优化推动；核心数据中心收入56.87亿美元，环比提升23个百分点，主要由价格上涨与产品组合改善带动。

公司移动端和客户端部门营收同比增长244.2%至77.1亿美元，环比增长81%；汽车与嵌入式事业部营收达到27亿美元，环比增长57%。

展望未来，美光预计第三财季营收将达到335亿美元左右，上下浮动7.5亿美元。调整后每股收益方面，公司预计为19.15美元，上下浮动0.40美元，几个数据全面超预期。

公司第二财季及第三财季业绩指引均远超市场预期的原因在于，AI芯片为了运行更大参数的大模型就需要更大、更快速的内存。例如，英伟达的新一代GPU都封装了高带宽内存（HBM）。随着AI对HBM等内存需求的暴涨，也推动了相关产品价格的飙升。

对于外界关注的HBM最新产品进展，美光CEOSanjayMehrotra在财报电话会议上透露，为英伟达VeraRubin平台定制的HBM4芯片已在第一财季进入大规模量产阶段，下一代HBM4e产品将在2027年上量。

他还指出，除了AI专用的HBM外，目前AI与传统服务器市场都正面临DRAM与NANDFlash供应严重不足的状况，这代表着长期被应用于数据中心与各类终端装置的传统內存产品，也同样处于供不应求的状态。

面对产业供不应求的市场格局，美光已启动了扩产计划。财报显示，公司2026财年资本支出将超过250亿美元。

SanjayMehrotra则在电话会议上透露，2027财年的资本支出将显著增加，仅建筑相关成本就将比一年前增加超过100亿美元。

近日，SK海力士CEO崔泰元亦在GTC2026上表示，内存供应短缺问题本质是晶圆不足，而要确保更多晶圆供应至少需要4—5年。因此其预测本轮内存供应短缺将持续到2030年，供应缺口预计持续高于20%。

此前，瑞银团队在报告中分析称，预计存储芯片的短缺将持续到2027年甚至可能延长至2028年。该行指出，未来PC和智能手机市场中内存的任何潜在需求萎缩，都将被AI、数据中心的需求所大量抵消。目前，全球数据中心已经贡献了DRAM市场收入的一半以上，并且他预计在2027年全年，HBM和DDR内存的需求将持续增长。