随着算力规模扩张对功耗与散热压力持续提升，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件凭借高频、高压、低损耗特性，正在成为适配新一代AI算力基础设施的优选方案。日前芯联集成（688469.SH）宣布正式推出3300V SiC MOSFET器件，该产品面向固态变压器（SST）等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制，目前已向核心客户送样验证。

芯联集成表示，此次3300V SiC器件的发布标志着公司在高压宽禁带半导体领域实现又一关键突破，填补了国内高压SiC器件在固态变压器核心功率级应用中的关键空白。

资料显示，该产品基于公司8英寸产线自研高压平面栅SiC MOSFET技术，以更小的单元面积和更优的导通电阻-栅电荷优值，实现了卓越的导通与开关性能。以10kV中压固态变压器前端为例，相比1200V方案，3300V器件优势显著，母线电压升至1800至2200V，级联数减60%；功率单元及MOSFET总量减60%，外围器件减70%，PCB大幅简化；另外，控制与装配成本降低。综合BOM成本降20%至35%，支撑SST高频、小型化、高效演进。

综合来看，3300V方案可实现系统级BOM成本降低20%至35%，为固态变压器向更高开关频率、更小体积和更高转换效率演进提供核心器件支撑。为进一步补强固态变压器供应链，公司也将推出适配3300V SiC MOSFET的高频高耐压高功率密度磁性器件。

芯联集成在碳化硅器件领域出货量领先。根据Yole 3月份发布的2025年碳化硅业务排名，芯联集成是中国SiC器件厂商中位居第一的企业，并跻身全球前五。公司已完成650V至3300V全电压段SiC MOSFET产品布局，新一代SiC G2.0工艺平台在能效与可靠性上实现进一步突破，8英寸SiC产线已实现大规模化量产。

当前，生成式AI算力需求呈指数级增长，单AI机柜功率密度正向兆瓦级别迈进。英伟达年初宣布推动AI数据中心供电架构向800V HVDC演进，固态变压器成为AI数据中心领域的关键环节；在智能电网与新能源领域，固态变压器同样发挥着核心作用。同时，随着固态变压器市场的逐步起量，高压SiC器件将迎来更明确的量产需求。

在芯联集成2025年度暨2026年第一季度业绩说明会上，公司高管预计2026年公司来自碳化硅、模拟IC以及功率模块等高附加值业务占比将逐步提升；随着公司产品结构的持续优化，设备折旧压力逐步降低，有望助力公司2026年实现盈亏平衡。2025年公司营业收入81.8亿元，归母净利润同比减亏至-5.95亿元。

同时，未来两年公司产能将聚焦8寸碳化硅，模拟IC和MCU相关的12寸产线，以及功率模组封装。其中，随着碳化硅器件性价比的提高，SiC MOSFET的应用从原来高度集中于车的主驱逆变，扩展到车载充电、热管理、主动悬架，并向非车载应用的空调、服务器电源、储能等多个领域扩展。产能方面，2025年公司初步完成了前期产能建设，包括8英寸硅基、12英寸硅基产线、6/8英寸碳化硅三大产线，晶圆年生产量251.27万片（折合8英寸），同比增长24.68%。