4月24日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的《第三代半导体产业发展报告（2025）》（简称《报告》）在2026九峰山论坛开幕式上发布。

“AI浪潮推动全球半导体产业强劲发展，宽禁带半导体为代表的化合物半导体成为半导体领域高端产业链话语权争夺的焦点。”第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲接受证券时报记者采访时表示，我国在光电子、射频电子和功率电子领域建立了较为完整的研发和产业体系，正处于从“技术突破”向“产业领先”加速迈进的关键阶段。

从技术追赶到局部领先

《报告》指出，2025年全球半导体产业势头强劲，叠加新能源汽车、光伏储能等下游领域需求放量，我国第三代半导体产业持续高速增长。第三代半导体功率电子领域市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中新能源汽车及交通市场突破148亿元，消费电子市场接近32亿元，电信及基础设施成为增速最快领域。GaN射频器件市场119亿元，同比增长9.2%；光电方面，车用LED领域保持增长，GaN基激光器市场规模达70亿元。

“从供给端来看，国内第三代半导体功率电子、射频电子、LED产值分别为231亿元、47亿元、1037亿元。”《报告》显示，国内碳化硅（SiC）衬底、外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为420万片、230万片、190万片，产量分别为205万片、93万片、85万片，产能利用率较上年有所提升。GaN功率电子的外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为96万片和74万片，产量分别为63万片和43万片，较上年实现较大增长。射频电子外延及晶圆（折合6英寸）产能分别为17万片和15万片，国产化率进一步提升。

产业格局上，我国企业全球市占率显著提升。根据《报告》提供的数据，天岳先进、天科合达等跻身SiC衬底全球前三，瀚天天成、天域半导体等进入SiC外延全球前二，SiC材料整体供给占全球一半，英诺赛科GaN功率器件全球市占率继续保持第一。

技术方面，SiC 8英寸衬底实现规模化供货，12英寸外延全球首发，GaN相关技术取得突破；超宽禁带半导体多项技术实现国际首发。

展望2026年，《报告》预计，经历了行业的规模化增量，第三代半导体功率及射频电子产值增速有望达到15%以上。

“对能源效率、信息速度和极端环境适应能力的需求，是新材料、新器件技术不断创新发展的核心驱动力。”吴玲认为，我国已实现从技术追赶到局部领先的跃升，未来5到10年有望实现全球引领，形成半导体领域的优势长板，抢占国际科技与产业竞争的战略主动权。

进入生态重构深水区

不过，多位与会专家同时提醒，国内第三代半导体产业在高端衬底、核心设备等关键环节仍然存在短板，从研发、中试到规模化量产的衔接不够顺畅，产业整体处在由技术突破向建立全面领先优势的关键节点。

吴玲指出，当前产业面临的主要挑战是性价比提高和产业链协同。

“材料和器件的长期可靠性是决定其能否被采纳的生命线”。吴玲认为，当前第三代半导体面临材料与器件固有缺陷、电磁干扰等新挑战，不仅封装和驱动生态的成熟度不及传统硅器件，评价方法与标准体系也尚不完善。

此外，业内普遍认为，成本是决定能否大规模普及的关键所在。吴玲表示，衬底与外延成本依然高企，而产能扩张引发的供需失衡，正加速行业洗牌。

当产业化进入生态重构的深水区，发展路径该如何选择？吴玲表示，竞争焦点正从单一产品性能转向系统级解决方案，这促使终端应用企业开始深度参与前端技术研发，产学研合作因此更加紧密，进而要求创新资源配置必须更为高效。

“许多前沿探索已初具转化潜力，但科研团队往往缺少感知市场脉动的触角。”中国科学院院士、武汉大学工业科学研究院执行院长刘胜建议，要推动产学研用从物理集聚走向化学融合，不仅要加快公共平台的建设，还需要耐心资本护航，完善从概念验证到规模化量产的全周期支持。

打造半导体化合物高地

值得注意的是，自2023年创办以来，九峰山论坛已成为国内化合物半导体领域规模最大、规格最高、影响力最强的行业盛会。九峰山论坛举行地武汉，正抢抓第三代半导体发展风口，聚力打造半导体化合物高地与优势产业集群。

目前，以武汉东湖高新区为核心，武汉布局了包括九峰山实验室、光谷实验室、国家信息光电子创新中心等在内的创新平台，集聚了创飞、先进、先导新材等一批核心企业。作为工信部首批国家级制造业中试平台中集成电路领域唯一入选平台，九峰山实验室带动落地企业70余家，推动武汉市化合物半导体企业规模突破400亿元。

武汉东湖高新区相关负责人向记者透露，该区正以九峰山实验室为核心，打造面积14平方公里的化合物半导体街区。创新街区内16.8万平方米的化合物半导体孵化加速及制造基地项目即将于今年建成投用。在这里，初创企业可“拎包入驻”，带着设计图就能造出芯片样品。同时，光谷设立了890亿元政府投资基金群，加快集聚产业上下游生态，打造全球化合物半导体产业投资首选地。