随着AI算力快速增长，数据中心供配电体系持续向高效化、低损耗、高可靠方向升级迭代，半导体正深度融入算力基础设施的全价值链。在日前“2026英飞凌消费、计算与通讯创新大会”（ICIC2026）上，英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区负责人潘大伟接受证券时报等媒体记者采访时介绍，当前AI数据中心电源订单迅速放量，依托硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等核心技术，英飞凌正在打造覆盖数据中心供电全链路的系统级解决方案。

GaN赋能电源系统降本增效

“GaN的产业价值和技术优势十分突出，尤其适配各类高频应用场景，涵盖充电器、数据中心的IBC、PSU等，可支持的设计方案非常丰富。”潘大伟介绍，当前GaN方案的成本正越来越接近硅基方案，同时在低压、中压、高压场景均呈现出色的性能效果。

英飞凌是业内少数同时布局硅、碳化硅和氮化镓技术路线的功率半导体企业。在潘大伟看来，数据中心电源系统应用中，三者为互补应用关系。比如PSU（供电单元）会搭配硅基器件用于电源转换，但也会有碳化硅或者氮化镓方案，最终取决于客户对各级供电链路的整体设计。

整体来看，GaN主要用于实现高频化与极致功率密度，适配AI高功率机柜需求。英飞凌通过提供本土化技术服务与成熟的参考设计，帮助中国客户导入与量产GaN方案。

GaN应用场景还拓展到电机驱动，尤其是在机器人场景。英飞凌科技副总裁、英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区市场营销负责人刘伟介绍，GaN创新应用不仅能够提升系统性能，还有助于降低整体系统成本。比如在高频应用场景中，GaN功率器件可以缩小系统马达体积和减少元器件数量，同时实现更高的效率和更低散热成本，从而提升机器人的关节运动灵活度与响应速度。

根据Yole最新统计，在功率GaN器件市场，英飞凌市场份额由2024年全球第五位升至2025年第二位。产能布局方面，英飞凌12英寸氮化镓功率半导体晶圆预计2026年年底到明年实现量产，有望进一步提升芯片产出率、降低制造成本，持续缩小GaN与硅基器件的成本差距。

卡位供电架构升级

除了功率半导体材料的迭代，数据中心供配电架构正迎来技术变革，从传统变压器逐步向固态变压器（SST）演进，更适用于高频电力电子变换，可有效提升功率密度，并能大幅缩减体积重量。

潘大伟介绍，SST采用功率半导体器件实现电压转换，与依靠工频电磁感应实现能量传输的传统变压器不同，不少客户已经开始利用半导体技术打造固态变压器，这是数据中心外部供配电架构的变革方向。据判断，目前800V高压供电正在成为行业重要发展方向，但SST大规模商业化落地仍需产业链逐步成熟和配套完善。

同时，数据中心内部的供配电系统也正在升级，涉及供电单元、中间总线转换器，以及其他核心组件；另外，数据中心的供电需经过多级电压转换，因此需要全链路精细化优化，以持续提升系统能效。

潘大伟表示，英飞凌采用全链路布局思路，根据不同供电环节匹配合适的器件方案。比如，GPU低压供电场景中，通过硅MOSFET与功率模块组合优化供电效率；800V转48V高压环节采用碳化硅器件；针对设备小型化、高频堆叠需求，采用GaN技术以兼顾性能、效率与功率密度要求。

AI电源订单迅速放量

面对AI算力快速增长带来的供电效率、功率密度和系统可靠性挑战，英飞凌提供从电网到核心再到物理AI的全链路电源解决方案，公司还联合中国ODM厂商及本土GPU企业协同开发，加速全链路供电方案商业化落地，适配数据中心快速迭代的市场需求。

“现在AI数据中心的爆发势头非常强劲。”潘大伟表示，当前涉及AI电源订单迅速放量，云服务厂商反馈数据中心的建设瓶颈，在于物理建设能力存在上限。

据英飞凌预计，2026财年公司来自AI数据中心电源解决方案的相关营收将达到16亿欧元，并将受益于生成式AI、具身智能及边缘AI带来的发展机遇。同时，英飞凌已经加速扩产，提升供应能力。

英飞凌德累斯顿智能功率晶圆厂历时3年于2026年7月正式投产，总投资50亿欧元，是英飞凌史上最大单笔投资。该工厂主要生产硅基IGBT、高压MOSFET与电源模拟芯片，投产后，相关产能有望实现翻倍增长。